Capacidad: 500GB.
Factor de forma: M.2 2280.
NAND Flash: 3D NAND.
Interfaz: PCIe Gen4 x4.
Lectura secuencial (máx) Hasta 3500 MB/s*.
Escritura secuencial (máx) Hasta 2,800MB/s*.
Temperatura de operación 0 °C - 70 °C.
Temperatura de almacenamiento -40°C - 85°C.
Resistencia a golpes: 1500G/0.5ms.
MTBF: 1.500.000 horas.
Terabytes escritos (TBW): 1200TB**.
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